磁控濺射鍍膜超窄帶濾光片

656nm磁控濺射鍍膜超窄帶濾光片

濺射鍍膜是在真空條件下，利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術(shù)。濺射鍍膜具有膜層和基體的附著(zhù)力強，膜層均勻性好等優(yōu)點(diǎn)，適合各種金屬、氧化物、半導體薄膜的制備，廣泛應用于光伏、LED、微電子、硬質(zhì)薄膜等領(lǐng)域。

一般情況下，絕大多數超窄帶濾光片，帶寬＜2nm成品率較低，價(jià)格也較高，2-5nm的帶寬為絕大多數超窄帶濾光片工業(yè)用戶(hù)的批量采購選擇。

超窄帶濾光片其主要參數有：中心波長(cháng)、半高寬（帶寬）、峰值透過(guò)率、截止范圍、截止深度（OD值）

中心波長(cháng)：一般就是儀器或設備的工作波長(cháng)，它是指通帶中心位置的波長(cháng)。

半高寬（帶寬）：帶寬是指通帶中透過(guò)率為峰值透過(guò)率的一半的兩個(gè)位置之間的距離，有時(shí)也叫半高寬（不叫半帶寬），英文字母經(jīng)常用FWHM（Full Width at Half Maximum）表示。

峰值透過(guò)率：指帶通濾光片在通帶中zui高的透過(guò)率大小。

截止范圍：截止范圍是指除了通帶以外，要求截止的波長(cháng)范圍。對于窄帶來(lái)說(shuō)，有一段是前截止，就是截止波長(cháng)小于中心波長(cháng)的一段，還有一段長(cháng)截止，截止波長(cháng)高于中心波長(cháng)的那一段。

截止深度（OD值）：截止深度是指截止帶中允許能透過(guò)光的大透過(guò)率大小。對不同的應用系統對截止深度要求不同，比如對于使用在激發(fā)光熒光的場(chǎng)合，一般要求截止深度在T<0.001%以下，在普通的監控識別系統中，截止深度T<0.5%有時(shí)已經(jīng)足夠。為簡(jiǎn)便起見(jiàn)，經(jīng)常用OD值來(lái)表示截止深度。OD=-lgT

用途：機器視覺(jué)、生化分析、光學(xué)儀器、光譜測量等領(lǐng)域

類(lèi)型：一般瑞研光學(xué)可做200nm-2000nm以?xún)鹊娜我鈧€(gè)波長(cháng)，透過(guò)率大于70%以上，如果是磁控濺射鍍膜，透過(guò)率大于90%；

截止深度有OD4-OD6；大于OD6成品率較低，可提供小批量定制服務(wù)

中心波長(cháng)656nm

中心波長(cháng)偏差：±1nm

帶寬2nm；3nm；4nm；5nm

直徑12.7mm，12.5mm，25mm，30mm等

厚度1mm；2mm；2.5mm

外環(huán)封裝厚度3.5mm，5mm，6mm

透過(guò)率大于80%；大于90%

截止范圍200-800nm；200-1000nm；200-1200nm

截止深度大于OD4；大于OD5；＞OD6

典型超窄帶光譜曲線(xiàn)