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硼酸鋰銫晶體
更新時(shí)間：2019-06-26
廠(chǎng)家性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
訪(fǎng)問(wèn)量：2655
產(chǎn)品特點(diǎn)：日本oxideCLBO: CsLiB6O10硼酸鋰銫晶體-瑞研科技深紫外DUV激光器的關(guān)鍵材料
CLBO: CsLiB6O10-硼酸鋰銫晶體-深紫外DUV激光器的關(guān)鍵材料
硼酸銫鋰(CLBO)晶體是一種綜合性能十分優(yōu)良的非線(xiàn)性光學(xué)晶體材料,其有效非線(xiàn)性光學(xué)系數是KDP的三倍,激光損傷閡值高,還具有較低的紫外吸收、較小的走離角、較大的溫度帶寬和光譜帶寬,能夠實(shí)現對Nd:YAG激光晶體1064nm的二倍頻、三倍頻、四倍頻和五倍頻輸出,在紫外激光變頻領(lǐng)域有著(zhù)的廣闊的應用前景。我們通過(guò)采用熔體法和添加助熔劑的不同方式研究了硼酸銫鋰晶體的生長(cháng)。生長(cháng)實(shí)驗表明,不同的熔體體系其粘度和揮發(fā)性差異較大,并隨溫度變化而變化,助熔劑的種類(lèi)和原料的配比是影響晶體質(zhì)量的重要因素。我們通過(guò)選擇助熔劑和優(yōu)化原料配比生長(cháng)出高質(zhì)量的硼酸銫鋰晶體
紫外線(xiàn)區的高次諧波發(fā)生器（4HG & 5HG of Nd:YAG, Shortest Type I SHG:237nm）
高損傷閾值（比熔融石英高1.7倍 @266nm）
適用于高功率紫外線(xiàn)應用 （d36(532nm)=0.92pm/V）
硼酸鋰銫晶體
與BBO（偏硼酸鋇晶體）相比的優(yōu)勢
轉換效率高
寬光譜范圍180～2750nm
特別適合深紫外DUV的生成
特點(diǎn)：
短波截止到180nm
大角度公差
離散較小
大功率不飽和
應用
機加工
半導體檢查
生物醫療
紫外激光雷達
基本參數
與BBP對比
Wavelength (nm) | NLO Crystal | Phase Matching Angle (deg) | deff (pm/V) | Angle Tolerance (mrad - cm) | Walk-off Angle (deg) |
1064+532 = 355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
532+532 = 266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
1064+266 = 213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51
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